DB153G
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DB153G |
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Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A DB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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15000+ | $0.2325 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | 200 V |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1.5 A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DB |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Diodentyp | Single Phase |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 1.5 A |
Grundproduktnummer | DB153 |
DB153G Einzelheiten PDF [English] | DB153G PDF - EN.pdf |
BRIDGE RECT 100V 1.5A DB-LS
BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DB-M
BRIDGE RECT 200V 1.5A DB-1
Interface
BRIDGE RECT 1P 400V 1.5A DB-M
Interface
BRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DB-M
BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DB-S
BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DB-S
Interface
BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1.5A DB
BRIDGE RECT 400V 1.5A DB-1
BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A DB
Interface
BRIDGE RECT 200V 1.5A DB-LS
BRIDGE RECT 200V 1.5A DB-S
Interface
BRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DB-S
BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A DB-M
BRIDGE RECT 1P 100V 1.5A DB-S
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DB153GGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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